HXY3415MI دیتاشیت

HXY3415MI

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت HXY3415MI
حجم فایل 58.717 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 7

مشاهده دیتاشیت HXY3415MI

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: P Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: HXY MOSFET HXY3415MI
  • Drain Source Voltage (Vdss): 20V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 950pF@10V
  • Continuous Drain Current (Id): 4.1A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 0.9V@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 45mΩ@4.5V,4A
  • Package: SOT-23-3L
  • Manufacturer: HXY MOSFET

محصولات مشابه